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金属保护膜的发展
发布日期：2025-06-09
来源：互联网 作者：admin 浏览次数：617
核心提示：核心提示：随着IC工业进人超大规模集成电路(ULSI)阶段，金属保护膜发展成为微电子工业的重要材料。
随着IC工业进人超大规模集成电路(ULSI)阶段，金属保护膜发展成为微电子工业的重要材料。
金属保护膜发展其在集成电路中主要用于低阻姗电极(gate electrode)扩肖特基接触(Schottky barrier contact)、欧姆接触(Ohmic contact)以及器件间互连(inter-connect)例如，把或铂的薄膜材料常被用于化学传感器的催化剂，铁或铬薄膜材料可作为黏附层，使金等贵重金属很好地与基底粘附；镍和铬薄膜常用作刻蚀掩模；铜膜则经常被用于金和镍下的牺牲层材料等。
金属保护膜发展其性能(如电阻率、应力、相、附着力及表面形态等)受薄膜沉积工艺和工艺设备的影响非常大，不是任何一种金属保护膜材料都可以用任何一种沉积方法来制备的。
保护膜材料的电阻率往往高于同种材质的块状材料。一般而言，薄膜材料的电阻率是相应块状材料的1.5~2倍，而保护膜中常常要求较低的电阻率。合金和金属化合物的电阻率通常比金属保护膜高得多，并且沉积工艺对其电阻率的影响更大。
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